Apple risolve il problema della memoria su iPhone 6 e iPhone 6 Plus

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Avevamo scritto l’altro giorno che Apple aveva un problema con gli iPhone 6 e 6 Plus sui modelli più costosi con maggiore memoria interna. Il problema riguarda iPhone 6 e iPhone 6 Plus con memoria da 128 GB e soprattutto gli utenti con grandi librerie di applicazioni a disposizione. Gli utenti riscontrano crash improvvisi e blocchi del sistema impossibili da ripristinare. Per risolvere il problema gli utenti sono stati costretti ad andare dal venditore per chiedere la sostituzione in garanzia.

Pare che Apple abbia deciso di risolvere in modo completo il problema, sostituendo la memoria flash NAND che non utilizza più il TLC (triple-level cell) con la MLC (multi-level cell) per la memoria flash NAND. La colpa sarebbe dell’azienda di memorie flash Anobit che è stata acquistata da Apple nel 2011. Il problema sarebbe quindi di carattere tecnico hardware interno ad Apple.

Apple passerebbe alle memorie flash NAND MLC per iPhone 6 da 64GB e iPhone 6 Plus da 128GB. La memoria flash NAND MLC è stata utilizzata in passato da Apple nelle precedenti versioni di iPhone. La memoria flash NAND MLC avrebbe il vantaggio di poter “memorizzare” 3 bits di dati per cella, mentre le SLC memorizzano 1 solo bit di dati, e la memoria MLC memoria 2 bits di dati. Per di più la TLC è più conveniente sotto il punto di vista economico. Come contro avrebbe il fatto che è più lenta rispetto a SLC o MLC in fase di scrittura e lettura.

Così Apple risolverà il problema su iPhone 6 e iPhone 6 Plus. Per gli utenti che avessero già acquistato gli iPhone in questione, se si verificherà il problema Apple sostituirà in garanzia la memoria per poter dare meno noie agli utenti.

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