Apple cambierà la RAM su iPhone 6S

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Apple potrebbe aumentare la quantità di RAM sui prossimi iPhone 6S e utilizzare la tecnologia RAM LPDDR4. iPhone 6S sarà la prossima generazione di iPhone che verrà lanciata verso fine anno. Questa RAM avrebbe la caratteristica di consumare meno energia e quindi di risparmiare batteria. Inoltre ci sarebbe anche un aumento della performance rispetto all’attuale RAM; si passerebbe da 1GB di LPDDR3 della attuale generazione di iPhone 6 e iPhone 6 Plus ai 2GB di LPDDR4 del prossimo iPhone.

Stando ai fornitori asiatici, il modulo LPDDR4 sarebbe fornito da Hynix, Samsung e Micron-Elpida. L’ultima azienda non aveva ancora gli standard per far fronte alle richieste di Apple, ha dovuto aggiornare i suoi stabilimenti per avere i requisiti necessari. Micron-Elpida e Hynix sono già partner Apple per la fornitura di RAM su iPhone 6 e iPhone 6 Plus (fonte iFixit).

La prossima generazione di iPhone dovrebbe avere lo stesso design interno dell’attuale iPhone con il processore A9 e una fotocamera con la dual-lens. Inoltre si pensa che lo schermo possa avere una nuova tecnologia per differenziare il singolo tap da una pressione più forte sullo schermo. Questo potrebbe essere utile per certe applicazioni e per fornire nuovi modi di utilizzo dello schermo.

Tuttavia questa tecnologia per lo schermo che è chiamata “Force Touch” sarebbe particolarmente invasiva nella struttura hardware di iPhone e potrebbe richiedere delle modifiche non compatibili con la struttura attualmente in uso su iPhone 6 e iPhone 6 Plus. Che Apple possa decidere di cambiare design sul prossimo iPhone 6S?

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iPhone 6S

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