Intel e Micron annunciano 3D Xpoint

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L’altro giorno Intel e Micron hanno annunciato una novità che rivoluzionerà il settore delle memorie. I due produttori hanno annunciato 3D Xpoint che si pronuncia cross point. Il vantaggio di questa nuova tecnologia è che dovrebbe essere 1000 volte più veloce e anche più resistente della normale memoria NAND flash che si trova all’interno della maggior parte delle schede SSD e di tutte le memorie flash utilizzate su computer e dispositivi mobili. Questa sarebbe la prima novità nel campo delle memorie degli ultimi 25 anni.

Intel e Micron hanno detto che questa memoria è stata costruita per durare nel tempo e portate più performance, più capacità. Ma oltre ad essere più veloce della memoria NAND è anche costruita in modo da poter accogliere più memoria vicino al processore, il vantaggio è che quindi può essere utilizzata più in fretta e questo permette di accorciare anche di più i tempi.

Questa memoria è molto versatile, può essere utilizzata per sostituire la DRAM ed è stabile abbastanza per essere utilizzata come memoria a lungo termine. Diventa quindi una memoria a tutto tondo, completa e pronta per tutti gli utilizzi. La capacità iniziale è di 16GB ma in futuro si potrà avere anche più spazio.

Gli utilizzi di questa memoria sono molteplici anche in campo scientifico, perchè permette di analizzare una gran quantità di dati in poco tempo. I primi esemplari di questa memoria saranno disponibili per la fine dell’anno. Non è chiaro se Apple deciderà di adottare questa tecnologia non appena Intel e Micron la metteranno a disposizione. Sicuramente per gli utenti l’utilizzo di questa memoria permetterà di aumentare le prestazioni del computer o del dispositivo mobile.

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